Компания Samsung Electronics, являющаяся мировым лидером по производству устройств флеш-памяти, объявила о своём решении начать выпуск устройств памяти класса NAND на основе чипов, изготовленных по технологии кремниевого литья 20nm. На основе этих решений запланировано изготовить карты памяти для смартфонов ёмкостью 32 гигабайта. Новые карты памяти будут на 50% более производительными, чем используемые сейчас, изготовленные на основе технологии 30nm. Внедрение этого решения позволит заметно ускорить все операции с меню смартфонов, так, скорость чтения из памяти увеличится до 20 мегабайт в секунду, а скорость записи до 10 мегабайт в секунду.

Передовые разработки в области контроллеров памяти позволят сохранить надёжность новых устройств на уровне доказавших свою технологичность карт памяти 30nm. Переход от технологии чипов 30nm на технологию 20nm составил всего один год. Всего, намечен выпуск карт памяти 20nm с ёмкостью от 4 гигабайт до 64 гигабайт. kompik63.ru полагает, что память смартфонов растёт такими темпами, что они смогут в недалёком будущем вытеснить с рынка настольные компьютеры, от которых останутся только дисплеи.