Руководство компаний Samsung Electronics и Toshiba Corp объявили о достижении соглашения в области процедур, направленных на стандартизацию и совместное продвижение в скором времени интерфейса для флэш-памяти 400Mb / с 2,0 DDR NAND. Корейская и японская компании являются мировыми лидерами в производстве блоков флэш-памяти NAND. Новая высокоскоростная технология при условии успешной разработки единого мирового стандарта, даст ряд новых возможностей при разработке ёмкостных блоков памяти для твердотелых накопителей, мобильных телефонов, мультимедийных терминалов, корпоративных систем хранения данных и других сфер применения.

Использующийся на сегодня, самый скоростной чип DDR 1,0 архитектуры (SDR) NAND имеет интерфейс передачи данных 133 мегабайт в секунду. При этом наиболее широкое применение имеет чип с интерфейсом передачи данных всего со скоростью 40Mb / с. Своевременный выпуск новинки на рынок обещает серьёзный успех обеим компаниям, в связи с планами разработки и выпуска смартфонов четвёртого поколения и планшетов, в которых новая технология найдёт применение. kompik63.ru выражает удовлетворение в связи с достижением договорённости, которая послужит ускоренному развитию мировых стандартов бытовой электроники.